|
Трудно представить себе современную электронику без полупроводниковых элементов. Именно благодаря им, благодаря диодам, транзисторам, интегральным схемам и т.д. могли появиться современные радиоприемники, телевизоры, мини-калькуляторы и т.п.
Мы назвали только самое распространенное, «домашнее» применение полупроводников, а ведь еще большую роль они играют в промышленном электронном ( оборудовании. Современные счеткю-вычислительные машины, компьютеры, системы автоматизации и управления, разнообразную контрольно-измерительную аппаратуру для различных отраслей было бы невозможно создать без полупроводников.
Распространенные полупроводниковые элементы, а также диоды и транзисторы являются изделиями массового производства, благодаря чему они очень дешевы. Это дает возможность всем интересующимся электроникой не только проводить самостоятельные опыты и эксперименты, но также создавать модели конкретных, действующих установок. Популярность электроники среди любителей мастерить является следствием широкой доступности полупроводниковых элементов.
Однако доступность полупроводчиков не идет в ногу с доступностью информации о них. На практике значительно легче купить транзистор, чем получить информацию о его технических характеристиках, а особенно о его конструкции.
Начинающим любителям мастерить много трудностей доставляет распознавание, «где какой конец». Плохая работа либо бездействие аппаратуры вследствие неправильного пользования транзистором — это еще не самое страшное. Чаще всего в таких случаях транзистор выходит из строя. А уж совсем трудно бывает разобраться, если имеешь дело с транзисторами или диодами зарубежного производства, на которых проставлены иные обозначения, чем принято в ГОСТ. Сегодня мы расскажем вам о наиболее распространенных полупроводниковых элементах и их обо-значениях, принятых в большинстве европейских стран, в том числе и в Польше.
Герамний и кремний — это два основных полупроводниковых элемента, из которых изготавливается большинство всех полупроводниковых приборов. Теорию явлений, происходящих в полупроводниках, заинтересованные могут найти в любом учебнике по электронике. Практикам же следует напомнить, что первым полупроводниковым элементом был германий. Первый в мире транзистор, созданный более тридцати лет назад, был германиевый. Первые диоды и транзисторы, изготовленные в Польше, были тоже германиевые, как например, TG 5, TG 50, TG 72 и т.д. Их символ: TG — это не что иное, как транзистор германиевый. Некото-рые из этих транзисторов встречаются до сегодняшнего дня, особенно в любительской аппаратуре. Германиевые элементы были в свое время сенсацией мирового масштаба. Однако вскоре стало ясно, что значительно лучшие результаты дает использование кремния. Сейчас все современные, высококачественные диоды, транзисторы, тиристоры и т.д. являются кремниевыми. Они обладают лучшими свойствами (технические характеристики), а прежде всего, работают стабильно в значительно более широком интервале температур (по сравнению с германиевыми элементами). Это также имеет значение для радиолюбителей, которые часто выводили из строя германиевые транзисторы во время пайки выводов. При монтаже кремниевых элементов, разумеется, обязательны те же самые, что и прежде, правила безопасности (рис. 1), однако вероятность вывода из строя транзистора, диода и т.д. под действием температуры значительно меньше.
Обозначение полупроводниковых приборов. Вместе с развитием полупроводниковой техники была также унифицирована система обозначения "** приборов. В свое время в большинстве европейских стран была принята одна и та же система. Из чего следует, что, например, транзистор, обозначенный символом ВС 107, всегда один и тот же, независимо от того, в какой стране, принявшей эту систему, он изготовлен. Система обозначения полупроводниковых деталей относительно проста и не мешает познакомиться с ней ближе.
Обозначения состоит последовательно из букв и цифр. Первая буква всегда обозначает тип использованного полупроводника, а именно: А — германий В — кремний
Вторая буква символа обозначает вид прибора по следующей системе:
А — диод малой мощности г ш В — диод переменной емкости
С — низкочастотный транзистор малой мощности
.D — низкочастотный транзистор
большой мощности
Е — высокочастотный транзистор малой мощности
L — высокочастотный транзистор большой мощности
Р — фотоэлемент
' S — импульсный транзистор малой мощности
Т — тиристор
U — импульсный транзистор большой мощности 1
Y — диод большой мощности
Z — диод Зенера
Впаивание диода с использованием плоскогубцев в качестве «теплового шунта» предохраняет полупроводниковый прибор от перегрева и порчи.
Если в обозначение есть еще какие-то буквы (третья, а иногда и четвертая), то они означают: Р — польское производство (практически это означает, что данный прибор не полностью соответствует подобным изделиям других стран) Y — для профессионального использования.
Знание символов, применяемых для обозначения полупроводниковых приборов, имеет очень существенное значение в радиолюбительской практике. Оно дает непосредственную информацию об основных характеристиках данного прибора, что лучше всего иллюстрируют приведенные примеры:
ASY 35 — германиевый транзистор малой мощности, предназначенный для работы в импульсном режиме, профессионального применения (значит, высокого класса) BF 195 — кремниевый транзистор малой мощности, высокочастотный BYP 401 ;50 — кремниевый диод большой мощности отечественного исполнения.
Цифры, проставленные после букв, дают информацию, предназначенную для специалистов, т.е. менее интересующую радиолюбителей. Только в обозначениях диодов они имеют большое практическое значение, потому что дают числовую характеристику их основных параметров.
|
Опубликовал 